Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Yayın Yılı
- 2005
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Montaj
- Surface Mount
- Additional Feature
- 1000K ERASE/WRITE CYCLES; HARDWARE WRITE PROTECT; DATA RETENTION > 200 YEARS
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.2V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Memory Types
- Non-Volatile
- Temel Parça No
- 24LCS52
- Besleme Gerilimi
- 2.2V~5.5V
- I2c Control Byte
- 1010DDDR
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Size
- 2Kb 256 x 8
- Access Time
- 900ns
- Memory Interface
- I2C
- ECCN Kodu
- EAR99
- Pin Sayısı
- 8
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Width
- 8
- Interface
- I2C, Serial
- Parça Durumu
- Active
- Pin Sayısı
- 8
- Terminal Sayısı
- 8
- Terminal Adımı
- 0.635mm
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Timemax Twc
- 10ms
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Density
- 2 kb
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Data Retention Timemin
- 200
- Memory Format
- EEPROM
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory