Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Contact Plating
- Tin
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Yayın Yılı
- 2002
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Montaj
- Surface Mount
- Additional Feature
- DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Temel Parça No
- 24LC64
- I2c Control Byte
- 1010DDDR
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Besleme Gerilimi
- 5V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Genişlik
- 3mm
- Memory Size
- 64Kb 8K x 8
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Pin Sayısı
- 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Interface
- I2C
- Access Time
- 900ns
- Interface
- I2C, Serial
- Parça Durumu
- Active
- Memory Width
- 8
- Pin Sayısı
- 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Terminal Sayısı
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.1mm
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Density
- 64 kb
- Memory Format
- EEPROM
- Data Retention Timemin
- 200
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory