Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Contact Plating
- Tin
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 8
- Temel Parça No
- 24LC1026
- Density
- 1 Mb
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Interface
- 2-Wire, I2C, Serial
- Yayın Yılı
- 2005
- Montaj
- Surface Mount
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Access Time
- 900ns
- Pin Sayısı
- 8
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Data Retention Timemin
- 200
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Format
- EEPROM
- Pin Sayısı
- 8
- Memory Interface
- I2C
- ECCN Kodu
- EAR99
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Sayısı
- 8
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Uzunluk
- 4.9mm
- Reverse Pinout
- NO
- Nominal Supply Current
- 5mA
- Serial Bus Type
- I2C
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Genişlik
- 3.9mm
- I2c Control Byte
- 1010DDMR
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Kodu
- e3
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory