Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yayın Yılı
- 2009
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Pin Sayısı
- 8
- Interface
- I2C, Serial
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Memory Format
- EEPROM
- Contact Plating
- Tin
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.1mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Ambalaj
- Tube
- Uzunluk
- 3mm
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Pin Sayısı
- 8
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- I2c Control Byte
- 1010DDDR
- Memory Types
- Non-Volatile
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Width
- 8
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Memory Interface
- I2C
- Parça Durumu
- Active
- Genişlik
- 3mm
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Memory Size
- 32Kb 4K x 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Serial Bus Type
- I2C
- Clock Frequency
- 400kHz
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Standby Currentmax
- 0.000001A
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory