Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Genişlik
- 2mm
- JESD-609 Kodu
- e4
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Yayın Yılı
- 2008
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Pin Sayısı
- 8
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Interface
- I2C, Serial
- Memory Format
- EEPROM
- Contact Plating
- Gold
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Memory Size
- 16Kb 2K x 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Uzunluk
- 3mm
- Serial Bus Type
- I2C
- Clock Frequency
- 400kHz
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Density
- 16 kb
- Montaj
- Surface Mount
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- ECCN Kodu
- EAR99
- Temel Parça No
- 24AA16H
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Pin Sayısı
- 8
- Kılıf / Paket
- 8-WFDFN Exposed Pad
- Write Protection
- HARDWARE
- Access Time
- 900ns
- Terminal Sayısı
- 8
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Data Retention Timemin
- 200
- I2c Control Byte
- 1010MMMR
- Memory Types
- Non-Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory