Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Pin Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Yayın Yılı
- 2012
- JESD-609 Kodu
- e3
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Contact Plating
- Tin
- Memory Format
- EEPROM
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Interface
- I2C, Serial
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Qualification Status
- Not Qualified
- Uzunluk
- 4.9mm
- Pin Sayısı
- 8
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Memory Types
- Non-Volatile
- I2c Control Byte
- 1010DDMR
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Memory Width
- 8
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Yüzey Montaj
- YES
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Parça Durumu
- Active
- Memory Interface
- I2C
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Genişlik
- 3.9mm
- Nominal Supply Current
- 5mA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Density
- 1 Mb
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Clock Frequency
- 400kHz
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory