Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Format
- EEPROM
- Interface
- 2-Wire, I2C, Serial
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Yayın Yılı
- 2005
- JESD-609 Kodu
- e3
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Reach Svhc
- No SVHC
- Pin Sayısı
- 8
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Uzunluk
- 10.16mm
- Ambalaj
- Tube
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- I2c Control Byte
- 1010MDDR
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj
- Through Hole
- Pin Sayısı
- 8
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Memory Interface
- I2C
- Parça Durumu
- Active
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Nominal Supply Current
- 5mA
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Genişlik
- 7.112mm
- Yükseklik
- 4.953mm
- Serial Bus Type
- I2C
- Clock Frequency
- 400kHz
- Density
- 1 Mb
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Data Retention Timemin
- 200
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory