Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yayın Yılı
- 2005
- JESD-609 Kodu
- e3
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Pin Sayısı
- 8
- Fabrika Tedarik Süresi
- 8 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Contact Plating
- Gold
- Memory Format
- EEPROM
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Interface
- I2C, Serial
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Screening Level
- ISO/TS-16949
- Uzunluk
- 4.9mm
- Montaj
- Surface Mount
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Pin Sayısı
- 8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- I2c Control Byte
- 1010XXMR
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Memory Width
- 8
- Memory Interface
- I2C
- Output Characteristics
- OPEN-DRAIN
- Parça Durumu
- Active
- Genişlik
- 3.9mm
- Page Size
- 16words
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Reverse Pinout
- NO
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 4Kb 256 x 8 x 2
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Usage Level
- Automotive grade
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory