Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Tube
- Uzunluk
- 4.4mm
- Screening Level
- ISO/TS-16949
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- JESD-609 Kodu
- e3
- Yayın Yılı
- 2008
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Pin Sayısı
- 8
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Interface
- I2C, Serial
- Contact Plating
- Tin
- Memory Format
- EEPROM
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Width
- 8
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Output Characteristics
- OPEN-DRAIN
- Memory Interface
- I2C
- Parça Durumu
- Active
- Montaj
- Surface Mount
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Operating Supply Voltage
- 5V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Pin Sayısı
- 8
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- I2c Control Byte
- 1010XXMR
- Memory Types
- Non-Volatile
- Memory Size
- 4Kb 256 x 8 x 2
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Usage Level
- Automotive grade
- Clock Frequency
- 400kHz
- Serial Bus Type
- I2C
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Standby Currentmax
- 0.000001A
- Density
- 4 kb
- Genişlik
- 3mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory