Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Size
- 2Kb 256 x 8
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Types
- Non-Volatile
- JESD-609 Kodu
- e3
- Contact Plating
- Tin
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Interface
- I2C
- Clock Frequency
- 400kHz
- Write Cycle Timemax Twc
- 10ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Additional Feature
- 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED
- Temel Parça No
- 24AA02
- Pin Sayısı
- 8
- Genişlik
- 3.9mm
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Pin Sayısı
- 8
- Terminal Sayısı
- 8
- Parça Durumu
- Active
- Serial Bus Type
- I2C
- Density
- 2 kb
- Output Characteristics
- OPEN-DRAIN
- Memory Format
- EEPROM
- Nominal Supply Current
- 3mA
- Yükseklik
- 1.25mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Access Time
- 900ns
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Interface
- I2C, Serial
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory