Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Memory Interface
- I2C
- Contact Plating
- Tin
- JESD-609 Kodu
- e3
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Memory Format
- EEPROM
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Power Supplies
- 1.8/5V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Serial Bus Type
- I2C
- Parça Durumu
- Active
- Terminal Sayısı
- 8
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Organization
- 256X8
- Data Retention Timemin
- 200
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- I2c Control Byte
- 1010XXXR
- Qualification Status
- Not Qualified
- Yayın Yılı
- 2009
- Uzunluk
- 4.9mm
- Montaj
- Surface Mount
- Memory Width
- 8
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Access Time
- 900ns
- Clock Frequency
- 400kHz
- Screening Level
- TS 16949
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Memory Size
- 2Kb 256 x 8
- Usage Level
- Automotive grade
- Genişlik
- 3.9mm
- Temel Parça No
- 24AA02E64
- Additional Feature
- 100KHZ AVAILABLE @1.7V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory