Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Size
- 2Kb 256 x 8
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Screening Level
- TS 16949
- Clock Frequency
- 400kHz
- Additional Feature
- 100KHZ AVAILABLE @1.7V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Temel Parça No
- 24AA025E64
- Genişlik
- 3.9mm
- Usage Level
- Automotive grade
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~5.5V
- Memory Density
- 2048 bit
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Interface
- 2-Wire, I2C, Serial
- Ambalaj
- Tube
- Besleme Gerilimi
- 5V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Contact Plating
- Tin
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Memory Interface
- I2C
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Terminal Sayısı
- 8
- Parça Durumu
- Active
- Serial Bus Type
- I2C
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Memory Format
- EEPROM
- Power Supplies
- 1.8/5V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Data Retention Timemin
- 200
- Organization
- 256X8
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory