Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Ambalaj
- Tube
- Clock Frequency
- 20MHz
- Pin Sayısı
- 8
- Io Type
- SEPARATE
- Address Bus Width
- 24b
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Yüzey Montaj
- YES
- Nominal Supply Current
- 10mA
- Word Size
- 8b
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Density
- 1 Mb
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Temel Parça No
- 23LCV1024
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Terminal Sayısı
- 8
- Memory Format
- NVSRAM
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Reach Svhc
- No SVHC
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Standby Voltagemin
- 2.5V
- Genişlik
- 3.9mm
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Syncasync
- Synchronous
- Fabrika Tedarik Süresi
- 13 Weeks
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Number Of Ports
- 1
- Interface
- SPI
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Power Supplies
- 3/5V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Memory Interface
- SPI - Dual I/O
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory