Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Temel Parça No
- 23LC512
- Memory Size
- 512Kb 64K x 8
- Density
- 512 kb
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Memory Types
- Volatile
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Terminal Sayısı
- 8
- Kılıf / Paket
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Memory Format
- SRAM
- Usage Level
- Automotive grade
- Clock Frequency
- 20MHz
- Ambalaj
- Tube
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Io Type
- SEPARATE
- Address Bus Width
- 8b
- Pin Sayısı
- 8
- Yüzey Montaj
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Standby Currentmax
- 0.000004A
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Power Supplies
- 3/5V
- Uzunluk
- 10.16mm
- Yayın Yılı
- 2012
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Yükseklik
- 4.953mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Access Time
- 25 ns
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Standby Voltagemin
- 2.5V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory