Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Terminal Sayısı
- 8
- Usage Level
- Automotive grade
- Memory Format
- SRAM
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Memory Types
- Volatile
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Temel Parça No
- 23LC512
- Memory Density
- 524288 bit
- Memory Size
- 512Kb 64K x 8
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Yüzey Montaj
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Ambalaj
- Tube
- Clock Frequency
- 16MHz
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Parallelserial
- SERIAL
- Uzunluk
- 4.9mm
- Yayın Yılı
- 2012
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Screening Level
- TS 16949
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Organization
- 64KX8
- Genişlik
- 3.9mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 19 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory