Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Organization
- 128KX8
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 5 Weeks
- Genişlik
- 3mm
- Standby Voltagemin
- 2.5V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Standby Currentmax
- 0.000012A
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Uzunluk
- 4.4mm
- Yayın Yılı
- 2012
- Parallelserial
- SERIAL
- Terminal Adımı
- 0.65mm
- Access Time Max
- 32 ns
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Memory Width
- 8
- Clock Frequency
- 16MHz
- Ambalaj
- Tube
- Yüzey Montaj
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Io Type
- COMMON/SEPARATE
- Output Enable
- NO
- HTS Kodu
- 8542.32.00.41
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Types
- Volatile
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Pin Sayısı
- 8
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Memory Density
- 1048576 bit
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory