Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Yüzey Montaj
- NO
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Io Type
- COMMON/SEPARATE
- Output Enable
- NO
- Parça Durumu
- Active
- Qualification Status
- Not Qualified
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT APPLICABLE
- Besleme Gerilimi
- 2.5V~5.5V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT APPLICABLE
- Memory Width
- 8
- Clock Frequency
- 16MHz
- Ambalaj
- Tube
- Memory Format
- SRAM
- Reverse Pinout
- NO
- Terminal Sayısı
- 8
- Kılıf / Paket
- 8-DIP (0.300, 7.62mm)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Memory Types
- Volatile
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Memory Density
- 1048576 bit
- Temel Parça No
- 23LC1024
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Organization
- 128KX8
- Fabrika Tedarik Süresi
- 7 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Genişlik
- 7.62mm
- Standby Voltagemin
- 2.5V
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.5V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 5.334mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Uzunluk
- 9.271mm
- Yayın Yılı
- 2012
- Access Time Max
- 32 ns
- Terminal Adımı
- 2.54mm
- Parallelserial
- SERIAL
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory