Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Memory Interface
- SPI
- Yayın Yılı
- 2010
- Uzunluk
- 4.9mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Access Time
- 32 ns
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Standby Voltagemin
- 2.7V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Syncasync
- Synchronous
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Montaj
- Surface Mount
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Number Of Ports
- 1
- Interface
- SPI, Serial
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Temel Parça No
- 23K640
- Memory Size
- 64Kb 8K x 8
- Memory Types
- Volatile
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Density
- 64 kb
- Pin Sayısı
- 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Terminal Sayısı
- 8
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Memory Format
- SRAM
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Clock Frequency
- 20MHz
- Memory Width
- 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Operating Supply Voltage
- 3.3V
- Nominal Supply Current
- 10mA
- Word Size
- 8b
- Besleme Gerilimi
- 3V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory