Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~2.2V
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Operating Supply Voltage
- 1.8V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Clock Frequency
- 20MHz
- Ambalaj
- Tube
- Address Bus Width
- 24b
- Io Type
- COMMON/SEPARATE
- Pin Sayısı
- 8
- Output Enable
- NO
- Yüzey Montaj
- YES
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- JESD-609 Kodu
- e3
- Nominal Supply Current
- 10mA
- Word Size
- 8b
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Volatile
- Density
- 1 Mb
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Data Bus Width
- 8b
- Temel Parça No
- 23A1024
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Reverse Pinout
- NO
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Terminal Sayısı
- 8
- Memory Format
- SRAM
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Output Characteristics
- 3-STATE
- Reach Svhc
- No SVHC
- Standby Voltagemin
- 1.7V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Syncasync
- Synchronous
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Genişlik
- 3.9mm
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Number Of Ports
- 2
- Interface
- SPI
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory