
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 2.2V
- Standby Currentmax
- 0.000012A
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Power Supplies
- 1.8/2V
- Uzunluk
- 4.9mm
- Yayın Yılı
- 2012
- Access Time Max
- 32 ns
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Parallelserial
- SERIAL
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.7V
- Standby Voltagemin
- 1.7V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Genişlik
- 3.9mm
- Organization
- 128KX8
- Output Characteristics
- 3-STATE
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Density
- 1048576 bit
- Temel Parça No
- 23A1024
- Memory Size
- 1Mb 128K x 8
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Memory Types
- Volatile
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~125°C TA
- Terminal Sayısı
- 8
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Reverse Pinout
- NO
- Memory Format
- SRAM
- Clock Frequency
- 16MHz
- Ambalaj
- Tube
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Besleme Gerilimi
- 1.7V~2.2V
- Memory Width
- 8
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Qualification Status
- Not Qualified
- Parça Durumu
- Active
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

