Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Data Retention Timemin
- 200
- Write Protection
- SOFTWARE
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Width
- 8
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Besleme Gerilimi
- 5V
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Interface
- Single Wire
- Pin Sayısı
- 3
- Density
- 16 kb
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Parça Durumu
- Active
- Yayın Yılı
- 2009
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.8V
- Memory Size
- 16Kb 2K x 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Serial Bus Type
- 1-WIRE
- Montaj
- Surface Mount
- Pin Sayısı
- 3
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Interface
- Serial
- Uzunluk
- 2.9mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Write Cycle Timemax Twc
- 10ms
- Clock Frequency
- 100kHz
- Terminal Sayısı
- 3
- Power Supplies
- 2/5V
- Nominal Supply Current
- 5mA
- Organization
- 2KX8
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory