
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fabrika Tedarik Süresi
- 6 Weeks
- Qualification Status
- Not Qualified
- Uzunluk
- 4.9mm
- Yüzey Montaj
- YES
- Besleme Gerilimi
- 2.5V
- Write Cycle Timemax Twc
- 5ms
- Genişlik
- 3.9mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Memory Width
- 8
- Supply Voltagemax Vsup
- 5.5V
- Interface
- Serial
- Endurance
- 1000000 Write/Erase Cycles
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Write Protection
- SOFTWARE
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Screening Level
- TS 16949
- Memory Size
- 2Kb 256 x 8
- Data Retention Timemin
- 200
- Besleme Gerilimi
- 1.8V~5.5V
- Serial Bus Type
- SPI
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Temel Parça No
- 11AA02E64
- Memory Density
- 2048 bit
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.8V
- Memory Types
- Non-Volatile
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Time Word Page
- 5ms
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Yayın Yılı
- 2013
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Format
- EEPROM
- Organization
- 256X8
- Standby Currentmax
- 0.000001A
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

