Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Clock Frequency
- 104MHz
- Memory Width
- 4
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Memory Interface
- SPI
- Seri
- MX25xxx35/36 - MXSMIO™
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Yüzey Montaj
- YES
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.8mm
- Uzunluk
- 8mm
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Write Cycle Time Word Page
- 40ms, 3ms
- Qualification Status
- Not Qualified
- Additional Feature
- ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 512M X 1 BIT
- Organization
- 128MX4
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Density
- 536870912 bit
- Yayın Yılı
- 2012
- Serial Bus Type
- SPI
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Programming Voltage
- 3V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Terminal Sayısı
- 8
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory