Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Alternate Memory Width
- 8
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Memory Format
- FLASH
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- Ambalaj
- Tray
- Programming Voltage
- 3V
- Common Flash Interface
- YES
- Sector Size
- 16K8K32K64K
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time Max
- 70 ns
- Qualification Status
- Not Qualified
- Yayın Yılı
- 2008
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Toggle Bit
- YES
- Memory Width
- 16
- JESD-609 Kodu
- e6
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Yüzey Montaj
- YES
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Uzunluk
- 8mm
- Number Of Sectorssize
- 12115
- Pin Sayısı
- 48
- Boot Block
- TOP
- Memory Interface
- Parallel
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Operating Supply Voltage
- 3.6V
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Terminal Kaplaması
- Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Memory Size
- 8Mb 1M x 8
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory