Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Width
- 16
- JESD-609 Kodu
- e1
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Toggle Bit
- YES
- Qualification Status
- Not Qualified
- Pin Sayısı
- 48
- Boot Block
- TOP
- Number Of Sectorssize
- 12131
- Uzunluk
- 8mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Standby Currentmax
- 0.000015A
- Yüzey Montaj
- YES
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- FLASH
- Alternate Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Access Time Max
- 70 ns
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Common Flash Interface
- YES
- Sector Size
- 16K8K32K64K
- Programming Voltage
- 3V
- Ambalaj
- Tray
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Jesd30 Code
- R-PBGA-B48
- Data Polling
- YES
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Command User Interface
- YES
- Kılıf / Paket
- 48-TFBGA, CSPBGA
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Memory Size
- 16Mb 2M x 8
- Seri
- MX29LV
- Terminal Sayısı
- 48
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory