Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Alternate Memory Width
- 8
- Memory Format
- FLASH
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Ambalaj
- Tray
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- Programming Voltage
- 3V
- Sector Size
- 16K8K32K64K
- Common Flash Interface
- YES
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time Max
- 70 ns
- Qualification Status
- Not Qualified
- Yayın Yılı
- 2009
- Toggle Bit
- YES
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Width
- 16
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Yüzey Montaj
- YES
- Standby Currentmax
- 0.000015A
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Uzunluk
- 18.4mm
- Number Of Sectorssize
- 12131
- Boot Block
- BOTTOM
- Pin Sayısı
- 48
- Memory Interface
- Parallel
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Operating Supply Voltage
- 3.6V
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Additional Feature
- BOTTOM BOOT BLOCK
- Memory Size
- 16Mb 2M x 8
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory