Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Memory Format
- FLASH
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Access Time Max
- 90 ns
- Programming Voltage
- 3V
- Common Flash Interface
- YES
- Sector Size
- 64K
- Write Cycle Time Word Page
- 90ns
- Ambalaj
- Tube
- Pin Sayısı
- 32
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Toggle Bit
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Width
- 8
- Qualification Status
- Not Qualified
- Yayın Yılı
- 2004
- Number Of Sectorssize
- 8
- Pin Sayısı
- 32
- Uzunluk
- 14.05mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Yüzey Montaj
- YES
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Memory Interface
- Parallel
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Operating Supply Voltage
- 3.6V
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Data Polling
- YES
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 3.55mm
- Command User Interface
- YES
- Kılıf / Paket
- 32-LCC (J-Lead)
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory