Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Memory Format
- FLASH
- Alternate Memory Width
- 8
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Sector Size
- 64K
- Page Size
- 8/16words
- Common Flash Interface
- YES
- Programming Voltage
- 3V
- Access Time Max
- 70 ns
- Besleme Gerilimi
- 3V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- Ambalaj
- Tray
- Memory Width
- 16
- JESD-609 Kodu
- e3
- Toggle Bit
- YES
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Yayın Yılı
- 2006
- Qualification Status
- Not Qualified
- Uzunluk
- 18.4mm
- Pin Sayısı
- 56
- Number Of Sectorssize
- 128
- Yüzey Montaj
- YES
- Standby Currentmax
- 0.0001A
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Memory Interface
- Parallel
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Operating Supply Voltage
- 3.6V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Kılıf / Paket
- 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Command User Interface
- YES
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G56
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Data Polling
- YES
- Terminal Adımı
- 0.5mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory