Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Memory Format
- FLASH
- Alternate Memory Width
- 8
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Ambalaj
- Tray
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Access Time Max
- 70 ns
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Common Flash Interface
- YES
- Sector Size
- 64K
- Page Size
- 8/16words
- Programming Voltage
- 3V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Width
- 16
- JESD-609 Kodu
- e3
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Toggle Bit
- YES
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Standby Currentmax
- 0.0001A
- Yüzey Montaj
- YES
- Pin Sayısı
- 56
- Number Of Sectorssize
- 128
- Uzunluk
- 18.4mm
- Memory Interface
- Parallel
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Operating Supply Voltage
- 3.6V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Memory Size
- 64Mb 8M x 8
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G56
- Data Polling
- YES
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory