Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Toggle Bit
- YES
- Memory Width
- 16
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Types
- Non-Volatile
- Qualification Status
- Not Qualified
- Yayın Yılı
- 2009
- Uzunluk
- 18.4mm
- Number Of Sectorssize
- 1217
- Pin Sayısı
- 48
- Boot Block
- TOP
- Yüzey Montaj
- YES
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Standby Currentmax
- 0.000005A
- Besleme Gerilimi
- 4.5V~5.5V
- Alternate Memory Width
- 8
- ECCN Kodu
- EAR99
- Memory Format
- FLASH
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Programming Voltage
- 5V
- Sector Size
- 16K8K32K64K
- Besleme Gerilimi
- 5V
- Access Time Max
- 70 ns
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Time Word Page
- 70ns
- Ambalaj
- Tray
- Command User Interface
- YES
- Kılıf / Paket
- 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Data Polling
- YES
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G48
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Density
- 4 b
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory