Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.16mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Width
- 4
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Size
- 8Mb 1M x 8
- Qualification Status
- Not Qualified
- Yayın Yılı
- 2010
- Clock Frequency
- 104MHz
- Pin Sayısı
- 8
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Density
- 8 Mb
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Interface
- SPI, Serial
- Seri
- MX25xxx35/36 - MXSMIO™
- Terminal Sayısı
- 8
- Uzunluk
- 5.28mm
- Standby Currentmax
- 0.00002A
- Supply Voltagemax Vsup
- 2V
- Organization
- 2MX4
- Genişlik
- 5.23mm
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Alternate Memory Width
- 2
- Memory Format
- FLASH
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- ECCN Kodu
- EAR99
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~2V
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Memory Interface
- SPI
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Additional Feature
- ALSO CONFIGURABLE AS 8M X 1
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory