Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.65mm
- Memory Types
- Non-Volatile
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G16
- Kılıf / Paket
- 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Memory Width
- 4
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Density
- 536870912 bit
- Clock Frequency
- 166MHz
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Terminal Sayısı
- 16
- Seri
- MX25xxx45 - MXSMIO™
- Uzunluk
- 10.3mm
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 2V
- Organization
- 128MX4
- Genişlik
- 7.52mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Alternate Memory Width
- 2
- Memory Format
- FLASH
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~2V
- Parallelserial
- SERIAL
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Memory Interface
- SPI - Quad I/O, QPI, DTR
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Additional Feature
- IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X1
- Programming Voltage
- 1.8V
- Write Cycle Time Word Page
- 60μs, 750μs
- Ambalaj
- Tube
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory