Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Memory Interface
- SPI
- Power Supplies
- 1.8V
- Serial Bus Type
- SPI
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN (800)
- Additional Feature
- CAN BE ORGANISED AS 4 MBIT X 1
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.8mm
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Seri
- MXSMIO™
- Terminal Sayısı
- 8
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Density
- 4194304 bit
- Parça Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Organization
- 1MX4
- Supply Voltagemax Vsup
- 2V
- Genişlik
- 5mm
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~2V
- Memory Format
- FLASH
- Alternate Memory Width
- 2
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Data Retention Timemin
- 20
- Programming Voltage
- 1.8V
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Write Cycle Time Word Page
- 30μs, 3ms
- Ambalaj
- Tray
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Width
- 4
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory