Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Width
- 4
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Yayın Yılı
- 2013
- Qualification Status
- Not Qualified
- Interface
- SPI, Serial
- Uzunluk
- 4.9mm
- Clock Frequency
- 80MHz
- Pin Sayısı
- 8
- Yüzey Montaj
- YES
- Standby Currentmax
- 0.000008A
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~2V
- Memory Format
- FLASH
- Alternate Memory Width
- 2
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Data Retention Timemin
- 20
- Programming Voltage
- 1.8V
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Ambalaj
- Tube
- Write Cycle Time Word Page
- 30μs, 3ms
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Seri
- MXSMIO™
- Terminal Sayısı
- 8
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Memory Density
- 4194304 bit
- Parça Durumu
- Not For New Designs
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory