Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Uzunluk
- 3mm
- Seri
- MXSMIO™
- Terminal Sayısı
- 8
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Clock Frequency
- 33MHz
- Memory Density
- 8388608 bit
- Parça Durumu
- Active
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Genişlik
- 2mm
- Organization
- 2MX4
- Yükseklik
- 600μm
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Memory Width
- 4
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Kılıf / Paket
- 8-UFDFN Exposed Pad
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Memory Types
- Non-Volatile
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Yayın Yılı
- 2017
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Memory Size
- 8Mb 1M x 8
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Access Time
- 12 ns
- Programming Voltage
- 1.8V
- Additional Feature
- IT IS ALSO CONFIGURED AS 8M X 1
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Ambient Temperature Range High
- 85°C
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Write Cycle Time Word Page
- 100μs, 10ms
- Parallelserial
- SERIAL
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~3.6V
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Memory Format
- FLASH
- Alternate Memory Width
- 2
- Memory Interface
- SPI
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory