Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Write Cycle Time Word Page
- 100μs, 4ms
- Ambalaj
- Tray
- Programming Voltage
- 3V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Additional Feature
- ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 64M X 1 BIT
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Memory Interface
- SPI
- Kurşunsuz
- Contains Lead
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~3.6V
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Parallelserial
- SERIAL
- Alternate Memory Width
- 2
- Memory Format
- FLASH
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Yüzey Montaj
- YES
- Parça Durumu
- Active
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Organization
- 16MX4
- Genişlik
- 4mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Seri
- MXSMIO™
- Terminal Sayısı
- 8
- Uzunluk
- 4mm
- Clock Frequency
- 80MHz
- Memory Density
- 67108864 bit
- Memory Size
- 64Mb 8M x 8
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Kılıf / Paket
- 8-UDFN Exposed Pad
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Memory Width
- 4
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.6mm
- Memory Types
- Non-Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory