
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Memory Width
- 4
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 8
- Memory Format
- FLASH
- Ambalaj
- Tube
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~3.6V
- Programming Voltage
- 3V
- Write Cycle Time Word Page
- 100μs, 10ms
- Yayın Yılı
- 2017
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Organization
- 128KX4
- Uzunluk
- 4.9mm
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Memory Size
- 512Kb 64K x 8
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Memory Interface
- SPI
- Memory Density
- 524288 bit
- Seri
- MXSMIO™
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Interface
- SPI, Serial
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Yüzey Montaj
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Additional Feature
- ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 512K X 1 BIT
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Alternate Memory Width
- 2
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

