Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Memory Width
- 4
- Terminal Sayısı
- 8
- Besleme Gerilimi
- 1.8V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Memory Format
- FLASH
- Ambalaj
- Tube
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Besleme Gerilimi
- 1.65V~3.6V
- Programming Voltage
- 3V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Organization
- 1MX4
- Uzunluk
- 4.9mm
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Write Cycle Time Word Page
- 100μs, 10ms
- Memory Size
- 4Mb 512K x 8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.75mm
- Memory Density
- 4194304 bit
- Memory Interface
- SPI
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Parallelserial
- SERIAL
- Seri
- MXSMIO™
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Supply Voltagemin Vsup
- 1.65V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Yüzey Montaj
- YES
- Additional Feature
- IT IS ALSO CONFIGURED AS 4M X 1
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Alternate Memory Width
- 2
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
- Clock Frequency
- 33MHz
- Genişlik
- 3.9mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory