Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Alternate Memory Width
- 2
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Additional Feature
- ALSO CONFIGURED WITH 1-BIT WIDTH
- Parça Durumu
- Active
- Memory Types
- Non-Volatile
- Genişlik
- 6mm
- Clock Frequency
- 166MHz
- Fabrika Tedarik Süresi
- 10 Weeks
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Parallelserial
- SERIAL
- Seri
- MXSMIO™
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- Yüzey Montaj
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Write Cycle Time Word Page
- 60μs, 750μs
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Uzunluk
- 8mm
- Organization
- 128MX4
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Programming Voltage
- 3V
- Memory Interface
- SPI
- Memory Density
- 536870912 bit
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Memory Size
- 512Mb 64M x 8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.8mm
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Memory Width
- 4
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Terminal Sayısı
- 8
- Memory Format
- FLASH
- Ambalaj
- Tray
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory