Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Programming Voltage
- 2.7V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Qualification Status
- Not Qualified
- Memory Format
- FLASH
- Density
- 32 Mb
- Serial Bus Type
- SPI
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Memory Width
- 4
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Terminal Sayısı
- 8
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Genişlik
- 5.23mm
- Clock Frequency
- 104MHz
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- JESD-609 Kodu
- e3
- Seri
- MX25xxx35/36 - MXSMIO™
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.16mm
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Memory Size
- 32Mb 4M x 8
- Operating Supply Voltage
- 3.6V
- Memory Interface
- SPI
- Write Cycle Time Word Page
- 50μs, 3ms
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Yayın Yılı
- 2009
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Uzunluk
- 5.28mm
- Organization
- 8MX4
- Ambalaj
- Tube
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Data Retention Timemin
- 20
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Memory Types
- Non-Volatile
- Standby Currentmax
- 0.00004A
- Terminal Adımı
- 1.27mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory