Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Yüzey Montaj
- YES
- Terminal Formu
- NO LEAD
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Interface
- SPI, Serial
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Alternate Memory Width
- 1
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Pin Sayısı
- 8
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -40°C
- Terminal Adımı
- 0.8mm
- Frekans
- 86MHz
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Standby Currentmax
- 0.00002A
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 85°C
- Temperature Grade
- INDUSTRIAL
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Genişlik
- 4mm
- Memory Types
- FLASH, NOR
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Data Retention Timemin
- 20
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 8
- Memory Width
- 2
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Density
- 32 Mb
- Serial Bus Type
- SPI
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Uzunluk
- 4mm
- Organization
- 16MX2
- Qualification Status
- Not Qualified
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Jesd30 Code
- S-PDSO-N8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.6mm
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory