Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 3V
- Terminal Sayısı
- 8
- Memory Width
- 4
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Memory Format
- FLASH
- Density
- 256 Mb
- Serial Bus Type
- SPI
- Qualification Status
- Not Qualified
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Programming Voltage
- 3V
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Jesd30 Code
- R-PDSO-N8
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Seri
- MX25xxx35/36 - MXSMIO™
- Kılıf / Paket
- 8-WDFN Exposed Pad
- JESD-609 Kodu
- e3
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- HTS Kodu
- 8542.32.00.51
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Clock Frequency
- 104MHz
- Genişlik
- 6mm
- Data Retention Timemin
- 10
- Ambalaj
- Tray
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Write Cycle Time Word Page
- 30μs, 3ms
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Organization
- 64MX4
- Uzunluk
- 8mm
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Yayın Yılı
- 2013
- Memory Interface
- SPI
- Memory Size
- 256Mb 32M x 8
- ECCN Kodu
- 3A991.B.1.A
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn)
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 0.8mm
- Operating Supply Voltage
- 3.6V
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory