Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- RoHS Durumu
- Non-RoHS Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Alternate Memory Width
- 2
- Terminal Adımı
- 1.27mm
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Additional Feature
- IT ALSO CONFIGURED AS 16M X 1
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Standby Currentmax
- 0.00002A
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Memory Types
- Non-Volatile
- Clock Frequency
- 133MHz
- Genişlik
- 5.23mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Parallelserial
- SERIAL
- Kılıf / Paket
- 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
- Yüzey Montaj
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Write Cycle Time Word Page
- 300μs, 3ms
- Qualification Status
- Not Qualified
- Yayın Yılı
- 2017
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Organization
- 4MX4
- Uzunluk
- 5.28mm
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G8
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Programming Voltage
- 2.7V
- Memory Interface
- SPI
- Memory Density
- 16777216 bit
- Terminal Kaplaması
- MATTE TIN (800)
- Memory Size
- 16Mb 2M x 8
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 2.16mm
- Data Retention Timemin
- 20
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

