
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~85°C TA
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 16 Weeks
- Seri
- MX25xxx05/06
- Kılıf / Paket
- 8-UFDFN Exposed Pad
- Yüzey Montaj
- YES
- JESD-609 Kodu
- e3
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Interface
- SPI, Serial
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- 40
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Alternate Memory Width
- 1
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Write Protection
- HARDWARE/SOFTWARE
- Standby Currentmax
- 0.00001A
- Endurance
- 100000 Write/Erase Cycles
- Memory Types
- Non-Volatile
- Clock Frequency
- 104MHz
- Genişlik
- 2mm
- Parça Durumu
- Not For New Designs
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- Terminal Sayısı
- 8
- Memory Width
- 2
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- 260
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Density
- 1 Mb
- Memory Format
- FLASH
- Serial Bus Type
- SPI
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Write Cycle Time Word Page
- 50μs, 3ms
- Power Supplies
- 3/3.3V
- Operating Mode
- SYNCHRONOUS
- Uzunluk
- 3mm
- Organization
- 512KX2
- Qualification Status
- Not Qualified
- Yayın Yılı
- 2017
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Programming Voltage
- 2.7V
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory

