+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
TC58NVG2S0HBAI6

Kioxia America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI6

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Fonksiyon Sayısı
1
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Write Cycle Time Word Page
25ns
Ambalaj
Tray
Programming Voltage
3.3V
Besleme Gerilimi
3.3V
Memory Interface
Parallel
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Memory Format
FLASH
Yüzey Montaj
YES
Montaj Tipi
Surface Mount
Parça Durumu
Active
Organization
512MX8
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Genişlik
6.5mm
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Terminal Sayısı
67
Uzunluk
8mm
Memory Density
4294967296 bit
Terminal Adımı
0.8mm
Memory Size
4Gb 512M x 8
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Kılıf / Paket
67-VFBGA
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Memory Width
8
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Memory Types
Non-Volatile
Jesd30 Code
R-PBGA-B67

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek