+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
TC58NVG2S0HBAI4

Kioxia America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI4

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Besleme Gerilimi
3.3V
Programming Voltage
3.3V
Ambalaj
Tray
Write Cycle Time Word Page
25ns
Fonksiyon Sayısı
1
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Memory Format
FLASH
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Memory Interface
Parallel
Memory Density
4294967296 bit
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Uzunluk
11mm
Terminal Sayısı
63
Genişlik
9mm
Organization
512MX8
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Yüzey Montaj
YES
Montaj Tipi
Surface Mount
Parça Durumu
Active
Memory Types
Non-Volatile
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Jesd30 Code
R-PBGA-B63
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Kılıf / Paket
63-VFBGA
Memory Width
8
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Memory Size
4Gb 512M x 8
Terminal Adımı
0.8mm

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek