+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
TC58NVG1S3HBAI6

Kioxia America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI6

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Besleme Gerilimi
3.3V
Programming Voltage
3.3V
Write Cycle Time Word Page
25ns
Ambalaj
Tray
Fonksiyon Sayısı
1
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Memory Format
FLASH
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Memory Interface
Parallel
Memory Density
2147483648 bit
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Terminal Sayısı
67
Uzunluk
8mm
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Organization
256MX8
Genişlik
6.5mm
Montaj Tipi
Surface Mount
Yüzey Montaj
YES
Parça Durumu
Active
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Memory Types
Non-Volatile
Jesd30 Code
R-PBGA-B67
Kılıf / Paket
67-VFBGA
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Memory Width
8
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Memory Size
2Gb 256M x 8
Terminal Adımı
0.8mm

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek