+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
TC58NVG0S3HBAI6

Kioxia America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Memory Density
1073741824 bit
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Uzunluk
8mm
Terminal Sayısı
67
Genişlik
6.5mm
Supply Voltagemax Vsup
3.6V
Organization
128MX8
Montaj Tipi
Surface Mount
Yüzey Montaj
YES
Parça Durumu
Active
Memory Types
Non-Volatile
Supply Voltagemin Vsup
2.7V
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Jesd30 Code
R-PBGA-B67
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Kılıf / Paket
67-VFBGA
Memory Width
8
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Memory Size
1Gb 128M x 8
Terminal Adımı
0.8mm
Besleme Gerilimi
3.3V
Programming Voltage
3.3V
Write Cycle Time Word Page
25ns
Ambalaj
Tray
Fonksiyon Sayısı
1
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Memory Format
FLASH
Besleme Gerilimi
2.7V~3.6V
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Memory Interface
Parallel

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek