+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
TC58BYG0S3HBAI6

Kioxia America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI6

Memory

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı
67
Seri
Benand™
Uzunluk
8mm
Terminal Pozisyonu
BOTTOM
Memory Density
1073741824 bit
Parça Durumu
Active
Yüzey Montaj
YES
Montaj Tipi
Surface Mount
Supply Voltagemax Vsup
1.95V
Organization
128MX8
Genişlik
6.5mm
Memory Width
8
Kılıf / Paket
67-VFBGA
Nem Hassasiyeti (MSL)
3 (168 Hours)
Jesd30 Code
R-PBGA-B67
Supply Voltagemin Vsup
1.7V
Maks. Oturma Yüksekliği
1mm
Memory Types
Non-Volatile
Terminal Adımı
0.8mm
Memory Size
1Gb 128M x 8
Çalışma Sıcaklığı
-40°C~85°C TA
Programming Voltage
1.8V
Besleme Gerilimi
1.8V
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Fonksiyon Sayısı
1
Write Cycle Time Word Page
25ns
Ambalaj
Tray
Operating Mode
ASYNCHRONOUS
Besleme Gerilimi
1.7V~1.95V
Memory Format
FLASH
Memory Interface
Parallel

İlgili Ürünler

  • Microchip Technology

    11AA010-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/P

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010-I/TO

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MNY

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/MS

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/SN

    Memory
  • Microchip Technology

    11AA010T-I/TT

    Memory
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek