Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Besleme Gerilimi
- 2.7V~3.6V
- Operating Mode
- ASYNCHRONOUS
- Memory Format
- FLASH
- Memory Interface
- Parallel
- Programming Voltage
- 3.3V
- Besleme Gerilimi
- 3.3V
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Fonksiyon Sayısı
- 1
- Write Cycle Time Word Page
- 25ns
- Ambalaj
- Tray
- Memory Width
- 8
- Kılıf / Paket
- 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 3 (168 Hours)
- Jesd30 Code
- R-PDSO-G48
- Maks. Oturma Yüksekliği
- 1.2mm
- Supply Voltagemin Vsup
- 2.7V
- Memory Types
- Non-Volatile
- Memory Size
- 4Gb 512M x 8
- Terminal Adımı
- 0.5mm
- Çalışma Sıcaklığı
- 0°C~70°C TA
- Terminal Sayısı
- 48
- Seri
- Benand™
- Uzunluk
- 18.4mm
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Memory Density
- 4294967296 bit
- Parça Durumu
- Active
- Yüzey Montaj
- YES
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Organization
- 512MX8
- Supply Voltagemax Vsup
- 3.6V
- Genişlik
- 12mm
İlgili Ürünler
Microchip Technology
11AA010-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/P
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010-I/TO
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MNY
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/MS
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/SN
Memory
Microchip Technology
11AA010T-I/TT
Memory